电子电路大全(PDF格式)-第104部分
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XOSC 频率 9。7 13。75 MHz
VCO 频率 310 440 MHz
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第1 章 射频发射器芯片原理与应用电路设计 ·39 ·
续表
参 数 最 小 值 典 型 值 最 大 值 单 位
时钟频率 2。4 3。4 MHz
待机电流 0。05 0。1 uA
工作电流 6 9 12 mA
输入高电平 0。7 V V ＋0。3 V
CC CC
输入低电平 …0。3 0。3 V V
CC
FM 频偏 ±6 kHz
ASK 数据速率 40 kb/s
VCO 增益 200 MHz/V
启动时间 1。2 ms
1。6。3 芯片封装及引脚功能
TH71071 采用 SOIC…8 封装，如图 1。6。1 所示。
图 1。6。1 TH71071 的引脚封装形式
TH71071 各引脚功能如下。
引脚 1：LF ，充电泵输出，连接到回路滤波器。
引脚 2 ：RO ，晶体振荡器电路FSK 引入端。
引脚 3 ：ENTX ，模式控制输入。
引脚 4 ：PS / DATA ，ASK 数据输入。
引脚 5：VCC ，电源。
引脚 6 ：OUT2，差分功率放大器输出，集电极开路。
引脚 7 ：OUT1，差分功率放大器输出，集电极开路。
引脚 8：VEE ，地。
1。6。4 内部结构与工作原理
TH71071 的内部结构框图如图 1。6。2 所示。芯片内包含发射功率放大器（PA ）、晶体振荡
器（XOSC ）、压控振荡器（VCO ）、相频检波器（PFD ）、分频器（÷32 ）、充电泵（CP ）、电
源电路（PS ）等电路。锁相环（PLL ）合成器由压控振荡器（VCO ）、分频器（÷32 ）、相频
检波器（PFD ）、充电泵和回路滤波器（LF ）组成，在LF 端外接的回路滤波器决定 PLL 的动
态性能。VCO 的振荡器信号被馈送到分频器和功率放大器，分频器的分频比是 32 。晶体振
荡器（XOSC ）作为PLL 合成器的基准振荡器。发射器的载波频率f c 是由晶体振荡器的基准
频率
f 决定的，集成的 PLL 合成器利用f = f /N （N=32 ，分频器系数） ，保证在 310 MHz～
ref ref c
440MHz 的频率范围内的每一个射频频点能够实现。
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·40 · 射频集成电路芯片原理与应用电路设计
功率放大器（PA ）的输出功率可以通过改变PS 端的外接电阻 RPS 的数值或改变在PS 端
的电压 V 完成。集电极开路的差分输出（OUT1；OUT2 ）能直接驱动一个环形天线，或者通
PS
过一个平衡到不平衡的变换器转换为单端输出。
TH71071 的模式控制通过控制ENTX 端实现，模式控制允许芯片工作在 2 个不同的模式。
模式控制端 ENTX=0 ，芯片处于待机状态；模式控制端ENTX=1 ，芯片处于发射状态。
TH71071 直接将数据加到 PS 引脚端实现 ASK 调制，调制数据控制 PA 功率放大器导通
和截止。
图 1。6。2 TH71071 的内部结构框图
1。6。5 应用电路设计
TH71071 采用 50Ohm天线的应用电路如图 1。6。3 所示，电路中元器件参数如表 1。6。2 所示。
采用 PCB 天线的应用电路如图 1。6。4 所示，电路中元器件参数如表 1。6。3 所示，采用 PCB
天线应用电路的印刷板元器件布局如图 1。6。5 所示。
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第1 章 射频发射器芯片原理与应用电路设计 ·41 ·
图 1。6。3 TH71071 采用 50Ohm天线的应用电路
表1。6。2 TH71071 的应用电路的元器件参数
符 号 尺 寸 数 值 误 差
CF1 0603 10 nF ±10％
CF2 0603 56 pF ±10％
CX 0603 68 pF ±10％
C1 0603 2。7 pF ±5％
C2 0805 100 pF ±5％
C3 0805 3。9pF ±10％
C4 0603 330 pF ±10％
C5 0603 330 pF ±10％
C6 0805 33 nF ±5％
L1 0603 22 nH ±5％
L2 0603 27 nH ±5％
L3 0603 33 nH ±10％
RF1 0603 1。5 kOhm ±10％
R1 0603 看输出功率选择表 ±10％
R2 0603 看输出功率选择表 ±10％
…6
XTAL HC49/S 13。55 MHz ±30×10 校准
…6 温度
±30×10
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·42 · 射频集成电路芯片原理与应用电路设计
图 1。6。4 TH71071 采用 PCB 天线的应用电路
433 MHz
印制板尺寸47mm ×33mm
图 1。6。5 采用 PCB 天线的元器件布局图
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第1 章 射频发射器芯片原理与应用电路设计 ·43 ·
表1。6。3 元器件参数表
符 号 尺 寸 数值（315 MHz 时） 数值（433。6 MHz 时） 误 差
CF1 0805 10 nF 10 nF ±10％
CF2 0805 56 pF 56 pF ±10％
CX 0805 47 pF 47 pF ±5％
C1 0805 TBD 1。8～2。2 pF ±2％
（2。5～6 pF 微调电容） （2。5～6 pF 微调电容）
C4 0805 330 pF 150 pF ±10％
C5 0805 330 pF 150 pF ±10％
C6 0805 220 nF 33 nF ±10％
C7 0603 TPD 4。7 pF ±5％
RF1 0805 1。5 kOhm 1。5 kOhm ±10％
R1 0805 24 kOhm 0Ohm ±10％
R2 0805 4。7 kOhm NIP ±10％
…6
XTAL HC49/S
