电子电路大全(PDF格式)-第127部分
按键盘上方向键 ← 或 → 可快速上下翻页，按键盘上的 Enter 键可回到本书目录页，按键盘上方向键 ↑ 可回到本页顶部！
————未阅读完？加入书签已便下次继续阅读！
…………………………………………………………Page 820……………………………………………………………
第2 章 射频接收器芯片原理与应用电路设计 ·149 ·
（b ）底板面
（c ）元器件布局图
（433。92MHz/300kHz/无 SAW；433。92MHz/600kHz/无 SAW；315MHz/300kHz/无 SAW；315MHz/600kHz/无 SAW）
图2。7。15 U3745BM 应用电路（使用 50Ohm匹配网络）
…………………………………………………………Page 821……………………………………………………………
·150 · 射频集成电路芯片原理与应用电路设计
（b ）底板面
（433。92MHz/300kHz/有 SAW；433。92MHz/600kHz/有 SAW；315MHz/300kHz/有 SAW；315MHz/600kHz/有 SAW）
图2。7。16 U3745BM 应用电路（使用 SAW 印制板图）
…………………………………………………………Page 822……………………………………………………………
第2 章 射频接收器芯片原理与应用电路设计 ·151 ·
设计时要注意以下事项：电源输入端口：应跨接电容（约 2。2 uF//10nF 陶瓷电容），以防
止电压干扰及纹波；电源芯片输入端，跨接电容（约 10nF 陶瓷电容），以抑制纹波，一定要
使每一种电源电压（Avcc ，LFVcc ，DVcc ，MIXVcc ）分别单独连接到电源输入端，然后，
用电容旁路到各自的地（AGND ，LFGND ，DGND ）；应力图在背面布一地平面，用过孔与
之相连，以达到旁路目的。
在混合信号电路中，必须将数字电路和模拟电路分开，要将DATA 信号与RF 部分如 XTO
和环路滤波器分隔开来，在计算时，也必须包括微控制器晶体频率的谐波分量；
环路滤波器，在设计版面时，将滤波器的接地部份靠近 LFGND ；
LNAGND 导线框和线扎对 LNA 地的电感由 C3 补偿，这个电容与这些电感一起形成串
联谐振电路。L=25nH 的电感是馈电电感，构成直流电路，其值要求必须是足够大，以避免
使串联谐振电路失谐。为降低成本，这个电感可以印制在 PCB 板上，这样的安排可使接收机
灵敏度提高 1dB 到 2dB 。
晶体电路是得到稳定和准确频率的基本电路，负载电容 CL 与晶体连接决定实际频率，
因为寄生电容会引起本地振荡频率偏离其标称值，造成的误差范围可达 100ppm 或更大。。
用 SAW 和不用 SAW 的输入匹配，在考虑灵敏度时，严格匹配 LNA 输入与 SAW 滤波
器/天线输入会得到好的效果，可改变 L3 和电容 C17 校正设计的印制板。
要想使用 U3745 BM 获得最佳性能，数据编码应使用曼切斯特或双相位编码，这些编码
信号的工作周期（DC ）是0。5 （50％ ），这样有利于在数据滤波器中使用一个高通滤波器，以
消除信号的直流分量。如果用其他形式的编码，则信号定时会受到某些限制，对接收机灵敏
度也有些影响。
高低时间（tH 和 tL ）的最小持续时间是由数据滤波器的高端截止频率决定的。如果脉冲
宽度低于推荐值，灵敏度会降低，另外，最小时间受限于数字电路。对降低灵敏度而言，编
码的 t ，t 的最小时间不可以小于表2。7。4 给出的时间。
L H
表2。7。4 对ASK 定时要求
为得到最高灵敏度沿到沿时间（t ，t ） 减少灵敏度=3dB 扩展的沿到沿时间（t ，t ）
H L H L
ASK 推荐的 CDEM
最小/us 最大/us 最小/us 最大/us
波特率范围 0 39nF 270 1000 200 1250
波特率范围 1 22nF 156 560 100 700
波特率范围 2 12nF 89 320 60 400
波特率范围 3 8。2nF 50 180 30 250
脉冲可持续的最大时间取决于高通滤波器，由 CDEM 电容设定的截止频率。为缩短查询
过程的设定时间，对每个波特率都有 CDEM 限制值，使用推荐的 CDEM 电容值，则定时应
在表 2。7。4 所示的范围之内，扩展的限制值是针对灵敏度降低 3dB 而言的值。CDEM 电容的
允许偏差应是±5％ 。如果编码信号超过最大时限，则接收机输出变得不确定，这可能是随机
开关信号。
非曼切斯特/双相位编码即 PWM 编码数字信号的工作周期即脉冲宽度（高电平）和整个
高…低周期时间的比值，在工作周期接近 50％时，能达到最高灵敏度。在下述条件下能接收到
…………………………………………………………Page 823……………………………………………………………
·152 · 射频集成电路芯片原理与应用电路设计
的不同工作周期的信号，如表2。7。5 所示。
表2。7。5 不同周期信号的工作条件
工作周期 33％～66％ 25％～75％ 15％～85％
ASK 损失灵敏度≈2dB 损失灵敏度≈6dB 损失灵敏度≈10dB
可设置电路为自查询模式，以保证电路的低功耗工作。也可以利用微控制器通过
ENABLE 引脚端直接控制查询。只要 ENABLE 保持“L ”电平，电路就始终维持在睡眠状态。
设置 ENABLE 为“H ”电平，在睡眠时间 Tsleep 之后，信号处理电路开始工作，位检测逻辑
开始对接收的数据串进行分析。
U3745BM 的编程见相关的资料。
…………………………………………………………Page 824……………………………………………………………
第3 章 射频收发器芯片原理与应用电路设计
3。1 300MHz～500MHz 无线收发芯片MICRF501 的
原理与应用电路设计
3。1。1 概述
MICRF501 是用于ISM （工业、科学和医药）和SRDC （短距离设备）传输的专用发射和
接收芯片，频率范围为300MHz～500MHz，调制方式为FSK （频移键控），数据速率达128 kBaud
…3
（千波特），RF 输出功率为 10dBm，灵敏度（19。2kb/s； BER=10 ）是…105dBm。可以应用在
遥测、远距离测试仪表、无线控制、无线数据中继、无线控制系统、无线调制解调器、无线安
全系统中。
3。1。2 主要性能指标
芯片绝对最大额定值：最大供给电压（V ）为＋7V ；最大NPN 反偏基…射极电压为＋2。5V ；
DD
储存温度范围（Ts ）为…55℃～＋150 ℃。
工作额定值：电源电压（V ）； ＋2。5V～＋3。4V ；环境温度 （T ）； …40 ℃～＋85 ℃；封装热阻
IN A
YQFP （
θ ），多层板为46。3 ℃/W 。
JA
表3。1。1 主要性能指标
参 数 最小值 典型值 最大值 单位
工作频率 300 434 500 MHz
低功耗模式电流 2 uA
输入高电平，V 70％ V
IH DD
输入低电平，V 30％ V
IL DD
DATAIXO ，输出高电平，V V …0。3V V
OH DD
通用部分 DATAIXO ，输出低电平，V 0。3 V
OL
锁定检测，输出高电平，V V …0。25V V
OH DD
锁定检测，输出低电平，V 0。25 V
OL
时钟/数据频率 10 MHz
时钟/数据占空比 25 75 ％
时钟设置（上升沿） 25 ns
预置比例分频比 32/33
基准频比 40 MHz
PLL 锁定时间（内调制） 1 ms
VCO 和PLL 部分
PLL 锁定时间（外调制） 4 ms
RX （TX 和PA 开启状态）开关时间 2 ms
充电泵电流 ±95 ±620 mA
…………………………………………………………Page 825……………………………………………………………
·154 · 射频集成电路芯片原理与应用电路设计
续表
参 数 最小值 典型值 最大值 单位
输出功率 12
