电子电路大全(PDF格式)-第56部分
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μ
g = = C （V …V ） =
m n ox GS TH
V L V …V
GS GS TH （2…2）
或者：
1 W
gm =2 μnCox I D
2 L （2…3）
可见MOSFET的饱和区跨导 gm 不仅和它的工作电流而且可以通过选择器件尺寸W/L加
以改变。正因为如此，模拟集成电路的设计更加灵活。
V
