电子电路大全(PDF格式)-第84部分
按键盘上方向键 ← 或 → 可快速上下翻页，按键盘上的 Enter 键可回到本书目录页，按键盘上方向键 ↑ 可回到本页顶部！
————未阅读完？加入书签已便下次继续阅读！
Step 21： 从版图窗口的左下方选择“Pimp。dwg” 层（P 型掺杂层，画 P 管源漏区）。
Step 22： 鼠标左击菜单Create…》Rectangle （或点击 图标）从点（1。3， 1。3） 到点（3。9， 3。1）
画一个矩形。
Step 23： 选择 “Poly。dwg” 层（多晶硅层，画 P 管栅）。
Step 24： 鼠标左击菜单 Create…》Path （或 点击 图标）， 将自动弹出下面对话框。 （如
果对话框不显示， 按 F3 键去激活。 或者打开选项 Options…》Generic…》Editor…》Auto Popup
Form）
Step 25： 填写栅极信息如下，Path 的宽即为栅长L。
176
…………………………………………………………Page 625……………………………………………………………
Step 26： 从点（2。6， 3。4） 到 （2。6 ， 1。0） 用 “Poly。dwg”层画一条路径。 双击结束命令。
Step 27： 选择菜单 Create…》Instance （或者点击 图标）两次调用一个 2 行一列的子
单元（即为刚才创建的*mpdiff 子单元）。
Step 28： 在弹出的对话框中填写下面的信息（mpdiff 改为*mpdiff）。
177
…………………………………………………………Page 626……………………………………………………………
Step 29： 光标移回版图编辑区。
Step 30： 两个子单元显示在光标处。 左击点（1。3， 1。3） 放置子单元。
Step 31： 左击点 （3。0 ， 1。3） 再次放置这些单元。
Step 32： 按 “Esc” 结束命令。
Step 33： 用“nwell。dwg”层从点（0， 0） 到 （5。2 ， 4。4） 创建一个矩形。
Step 34： 点击 图标清除尺子。
Step 35： 最后，PMOS 单元 *pmos_18 显示如下。
178
…………………………………………………………Page 627……………………………………………………………
Step 36： 保存、关闭 PMOS 单元。
创建 NMOS 单元
Step 37： 新建一个单元，规定 metal 和 N 型掺杂的连接，创建步骤同前创建金属和 P 型掺
杂相同，填写新单元信息如下：
Library Name： INV1
Cell Name： *mndiff（注意！！！）
View Name： layout
View Type： layout
179
…………………………………………………………Page 628……………………………………………………………
Step 38： 点击 Ok 确认 New Cell/View 信息后版图编辑界面将出现。
Step 39： 左击菜单 Options…》Generic 选项， 定义版图大小如下。
Step 40： 保存并且关闭上面的选择界面。
Step 41： 放大显示区域，鼠标左击菜单 Tools…》Ruler （或者点击 图标）来确定版图
坐标，在版图窗口中点击你需要测量起始点，水平的从左向右挪动指针，可以看到指针划
过处出现一把尺子，在终止位置点击鼠标，完成操作，按键盘“Esc”键结束命令。
180
…………………………………………………………Page 629……………………………………………………………
Step 42： 从 Layer 中选择“cont。dwg” 层（连接层）。
Step 43： 选择菜单 Create…》Rectangle （或点击 图标）从点 （0。2 ， 0。2） 到 （0。7 ， 0。7）
画一个矩形（当前光标位置显示在版图编辑窗的右下角）。
Step 44： 按 “Esc” 键结束命令。 添加完成的图形如下。
181
…………………………………………………………Page 630……………………………………………………………
Step 45： 这次先选择矩形， 点击菜单 Advanced…》Resize ， 填写弹出的对话框信息如下。
Step 46： 点击 Ok 确认。 The met1 图形是自动创建比cont 周围大 0。2um。
182
…………………………………………………………Page 631……………………………………………………………
Step 47： 当然，也可以象 Step 11 一样， 用画矩形 （（0，0 ）到 （0。9，0。9 ））的方式来画 met1 。
Step 48： 同样，你需要创立“Nimp。dwg”层，尺寸和 met1 相同。
183
…………………………………………………………Page 632……………………………………………………………
Step 49： 点击菜单 Tools…》Clear Ruler （或者点击 图标）来去除刻度。 金属和 N 型
掺杂的连接单元 mndiff 显示如下。
Step 50： 点击菜单 Design…》Save （或点击 图标）保存此单元（cellview ）。
Step 51： 点击菜单 Design…》Close 关闭单元设计。
下面我们将创建反相器的 NMOS 管单元（cellview ）： nmos_18。
Step 52： 同 Step 9： 确定版图刻度如下。
184
…………………………………………………………Page 633……………………………………………………………
Step 53： 从版图窗口的左下方选择“Nimp。dwg” 层（N 型掺杂层，画 N 管源漏区）。
Step 54： 鼠标左击菜单Create…》Rectangle （或点击 图标）从点（0， 0。3） 到点（2。6， 1。2）
画一个矩形。
Step 55： 选择 “Poly。dwg” 层（多晶硅层，画 P 管栅）。
Step 56： 鼠标左击菜单 Create…》Path （或 点击 图标）， 将自动弹出下面对话框。 （如
果对话框不显示， 按 F3 键去激活。 或者打开选项 Options…》Generic…》Editor…》Auto Popup
Form）
Step 57： 填写栅极信息如下，Path 的宽即为栅长L。
185
…………………………………………………………Page 634……………………………………………………………
Step 58： 从点（1。3， 1。5） 到 （1。3 ， 0。0） 用 “Poly。dwg”层画一条路径。 双击结束命令。
Step 59： 选择菜单 Create…》Instance （或者点击 图标）两次调用一个 1 行 1 列的子
单元（即为刚才创建的 mndiff 子单元）。
Step 60： 在弹出的对话框中填写下面的信息（注意：Cell Name 为刚才创建的 mndiff 子单
元）。
Step 61： 光标移回版图编辑区。
Step 62： 子单元显示在光标处。 左击点（0。0， 0。3） 放置子单元。
Step 63： 左击点 （1。7 ， 0。3） 再次放置这些单元。
Step 64： 按 “Esc” 结束命令。
Step 65： 点击 图标清除尺。
Step 66： 保存、关闭 NMOS 单元。。
186
…………………………………………………………Page 635……………………………………………………………
创建反相器版图
下面， 我们新建一个反相器版图，将调用刚才建立的 PMOS 、NMOS 单元，并画出其余
部分，最后将构成完整的反相器版图。
Step 67： 在设计环境 ZDMW 中，右击库“PLL ”选择创建新的子单元 “New View” 。
Step 68： 创建反相器版图“*inv”。
Step 69： 设置标尺如下。
Step 70： 点击 图标添加 “*pmos_18”单元，填写信息如下。
