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第98部分

电子电路大全(PDF格式)-第98部分

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                        图 1。1。15    TDA5101A 采用 50 Ohm  天线的应用电路  



1。2    800 MHz~1 GHz ASK 发射器芯片MICRF103 的  



         原理与应用电路设计  



     1。2。1    概述  



    MICRF103 是一种单片UHF ASK 发射器芯片。该芯片使用Micrel’s QwikRadioTM技术, 

可工作在 800~1000  MHz;芯片内集成了合成器、压控振荡器、功率放大器等电路,是 

一种真正的“数据输入、无线输出”的单片器件;采用 ASK/OOK 调制;电源电压为 4。5~ 

5。5V,电流为 8  mA ;提供低功耗模式,待机电流为 1。0 uA ;数据速率为 115  kb/s;天线 

自动调谐。MICRF103          芯片可用于自动遥控无钥匙进入系统(RKE )、遥控系统、数据通 

信和安防系统。  



     1。2。2    主要性能指标  



    MICRF103 主要性能指标如表 1。2。1 所示。  



  


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 ·14 ·                               射频集成电路芯片原理与应用电路设计  



                                   表1。2。1    MICRF102 主要性能指标  



                      参        数                     最小值         典型值          最大值           单位  



                   电源电压                                4。5                     5。5           V  



                   待机电源电流                                         0。10                       uA  



      电源部分         工作电流                                14                      27。5         mA  



                   最大输出功率                                          …3                       dBm  



                   变容二极管调谐范围                           2。6         3。0         3。3           pF  



                   基准振荡器输入阻抗                                                   300           kOhm  

   基准振荡器部分  

                   基准振荡器输入电压(峰…峰值)                     0。2                     1。0           V  



                   校准时间                                            20                        ms  



                   从待机到发射器稳定时间                         9                       12            ms  



    数字控制部分         ASK 调制最大数据速率                                                115          kb/s  



                   ASK 输入高电平                         0。8 V                                      

                                                         DD 



                   ASK 输入低电平                                                  0。1 V             

                                                                                 DD 



     1。2。3    芯片封装及引脚功能  



     MICRF103 采用 8…pin SOP (M)  封装(如图 1。2。1 所示),其各引脚功能如表 1。2。2 所示。  



                                                                       



                                   图 1。2。1    MICRF103 引脚封装形式  



                                    表1。2。2    MICRF103 各引脚功能  



     引脚       符        号                                  功        能  



       1        PC        电源控制输入。正常工作时,该引脚的电压被设置在0。1V~0。4 V 之间  



       2       VDD        电源电压正端  



       3        VSS       地。VDD 和 VSS 之间需外接旁路电容  



                          基准振荡。连接晶振到地,或采用 AC 耦合方式输入 0。5 V                 (峰…峰值)时钟脉冲。基准振荡 

       4      REFOSC  

                        频率×64=发射频率  



       5       STBY       待机模式控制。接 VDD 为发射方式,接 VSS 为待机模式  



       6       ANTM       RF 功率输出负端。外接发射回路天线的高端  



       7       ANTP       RF 功率输出正端。外接发射回路天线的低端  



       8        ASK       幅移键控调制数据输入端  



     1。2。4    内部结构与工作原理  



     MICRF103  内部结构如图 1。2。2 所示。芯片内包含:由基准振荡器、相位检波器、分频器、 

带通滤波器、压控振荡器(VCO )构成的UHF 合成器,发射偏置控制单元,RF 功率放大器, 



  


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                               第1 章    射频发射器芯片原理与应用电路设计                                             ·15 · 



天线调谐控制电路和变容二极管等。  



                                                                                                     



                                       图 1。2。2    MICRF103 内部结构  



     UHF 合成器产生载频和正交信号输出。输入相位信号(I )用来驱动RF 功率放大器。天 

线调谐正交信号(Q )用来比较天线信号相位。天线调谐控制部分检测在天线通道发射信号 

的相位和控制变容二极管的电容以调谐天线。功率放大器输出受发射偏置控制单元的控制。  



      1。2。5    应用电路设计  



     MICRF103 应用电路如图 1。2。3 所示。  



                                                                                             



                                       图 1。2。3    MICRF103 应用电路  



     应用中应注意以下问题。  

      (1)发射频率是基准振荡器频率的64 倍,即f TX=64 ×f REFOSC 。如果使用外接时钟信号, 



  


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 ·16 ·                          射频集成电路芯片原理与应用电路设计  



需采用 AC 耦合方式,输入信号幅度(峰…峰值)为 200~1 000 mV。  

     (2 )天线电感:MICRF103 使用差分输出去驱动天线负载。功率放大器输出级包含有一 

个变容二极管,它自动与天线的电感调谐,以保证谐振在发射频率上。典型的 PCB 导线天线 

的电感与回路的尺寸、天线导线的宽度、PCB 铜泊的厚度和接地板的位置有关。  

     (3 )发射功率:功率放大器的输出功率与PC 端(1 脚)的电压有关。PC 端的电压上升, 

输出功率加大,但如果 PC 端的电压超过 0。4 V,功率放大器被限流,输出功率不再增加。减 

少 PC 端的电压可降低电源功率消耗,同时也会降低 RF 输出功率。  

     (4 )电源旁路电容:MICRF103 芯片对电源纹波敏感,正确的电源旁路是必需的,一般 

使用 4。7 uF 、0。1 uF 、100pF 三个电容并联在 VDD 和 VSS 之间。  



                                 (R) 

 1。3    内含KEELOQ    滚动码编码器的UHF ASK/FSK  

 发射器芯片rfHCS362G/362F 的原理与应用电路设计  



     1。3。1    概述  



    rfHCS362G/362F  是单片集成内嵌 KEELOQ(R)滚动码编码器的 UHF  ASK/FSK  发射器芯 



片,其待机电流小于 200 nA ,发射电流为4。8~11。5 mA,工作电压为2。5~5。5 V,编码速率 

为 417~3 334 b/s,采用2 位 CRC 误码检测。可编程的 28/32 位序列号,两个可编程的 64 位 

编码键,32 位滚动码。  

     rfHCS362G/362F  的UHF  ASK/FSK 发射器,频率范围为 310~440  MHz ,输出功率为 

+2 dBm~…12 dBm 可调节,可以调整发射器电源消耗。ASK 数据发射速率为 0~40 kb/s ,FSK 

数据发射速率为 0~20 kb/s 。RF 频率等于晶振频率的 32 倍。采用 PLL 锁相和集成的晶体振 

荡器(VCO ),电路仅需少量的外部元件。符合US FCC Part 15。231 和 European EN 300 220 

的要求。 

           



     可用于遥控无键入口(RKE )发射器、车库门开门器、遥测(轮胎压力,水、电、气表, 

贵重物品跟踪)系统、无线安防系统和无线电遥控设备等。  



     1。3。2    主要性能指标  



    rfHCS362G/362F 的主要技术指标如表 1。3。1 和表 1。3。2 所示。  



                      表1。3。1    rfHCS362G/362F 编码器部分主要技术指标  



              参        数       最    小    值       典    型    值       最    大    值  



          电源电压/V                  2。0                                 6。3  



         工作电流/mA                                    0。3               1。2  



         待机电流/uA                                    0。1               1。0  



         高电平输入电压                 0。65 V                             V  +0。3V  

                                    DD                               DD 



         低电平输入电压                 …0。3V                               0。15 V   

                                                                        DD 



         高电平输出电压                 0。7 V                              V  +0。3V  

                                    DD                               DD 



         低电平输出电压                                                     0。15 V   

                                                                        DD 



  


…………………………………………………………Page 688……………………………………………………………

                             第1 章    射频发射器芯片原理与应用电路设计                                                      ·17 · 



                                                                                                续表  



             参        数              最    小    值             典    型    值              最    大    值  



       RFEN 端驱动电流/mA                     0。5                                               5  



       S0…S3 下拉电阻/kOhm                     40                       60                      80  



       PWM 下拉电阻/kOhm                       80                      120                      160  



                        表1。3。2    rfHCS362G/362F 发射器部分主要技术指标  



             参        数              最    小    值             典    型    值              最    大    值  



       发射频率/MHz                         310                                               440  



       晶振频率/MHz                         9。69                                              15  



       CLKOUT 频率/MHz                    2。42                                             3。75  



       发射输出功率/dBm                       …12                                               +2  



       ASK 数据速率/kb/s                                                                      40  



       FSK 数据速率/kb/s                                                                      20  



       VCO 增益/    (MHz/V )                                       100                         



       启动时间/ms                                                   0。9                         



       电源电压/V                            2。2                                             5。5  



       低功耗模式电流/uA                                                                        0。1  



       电源电流/mA                         

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